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# PC/모바일 삼성전자, 업계 최초 고용량 DDR5 메모리 개발

2021-03-26

인텔에 상주하던 외계인이 갈피를 못잡고 이곳저곳 기웃대는중이다. 이번엔 삼성의 DDR5 램 개발관련소식이다. 삼성전자가 업계 최초로 ‘하이케이 메탈 게이트 (High-K Metal Gate, 이하 HKMG)’ 공정을 적용한 업계 최대 용량의 512GB DDR5 메모리 모듈을 개발했다. 처음 듣는 사람은 잠시 뇌정지가 올만한 용량이다. 단일 램용량이 512GB인것이다.

DDR5는 차세대 D램 규격으로 기존의 DDR4 대비 2배 이상의 성능이며, 향후 데이터 전송속도가 7200Mbps로도 확장될 전망이다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편 정도를 처리할 수 있는 속도이다. 이번에 개발된 DDR5 메모리는 메모리 반도체 공정의 미세화에 따른 누설 전류를 막기 위해 유전율 상수(K)가 높은 물질을 공정에 적용해 고성능과 저전력을 동시에 구현한 것이 특징이다. HKMG가 적용된 삼성전자 DDR5 메모리 모듈은 기존 공정 대비 전력 소모가 약 13% 감소해, 데이터센터와 같이 전력효율이 중요한 응용처에서 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다. 또한 이번 제품에는 범용 D램 제품으로는 처음으로 8단 TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술이 적용됐다. 고용량 메모리 시장의 확대와 데이터 기반 응용처의 확산에 따라 16Gb(기가비트) 기반으로 8단 TSV 기술을 적용해 DDR5 512GB 모듈을 개발했다. 삼성전자는 2014년 세계 최초로 범용 D램인 DDR4 메모리에 4단 TSV 공정을 적용해 64GB에서 256GB까지 고용량 모듈 제품을 서버 시장에 선보인 바 있다.

또한 DDR5램은 고객의 수요에 따라 바로 상용화가 가능한 수준인 것으로 밝혀져 더욱 놀랍다. 일반인들에게는 필요 없는 용량이지만 클라우드 데이터센터, 네트워크 등 업계에선 필요한 메모리의 양이 기하급수적으로 늘어나고 있는 상태여서 수요는 있을 것으로 보인다. 이에 인텔 또한 인텔 제온 스케일러블 (Intel® Xeon® Scalable) 프로세서인 사파이어 래피즈(Sapphire Rapids)와 호환되는 DDR5 메모리를 선보이기 위해 삼성전자와 긴밀하게 협력하고 있다고 밝혔다.



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